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試験試験試験試験用

メーカー:
ヴィシャイ シリコンニックス
記述:
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
カテゴリー:
半導体IC
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
25 NC @ 10ボルト
FETの特徴:
-
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
シリーズ:
TrenchFET®
Vgs (最大):
±20V
Vgs(th) (最大) @ Id:
3V @ 250µA
供給者のデバイスパッケージ:
PowerPAK® 1212-8
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
65mOhm @ 5.7A, 10V
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ:
P-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
4.5V,10V
電力損失(最高):
1.5W (Ta)
パッケージ/ケース:
PowerPAK® 1212-8
流出電圧から源電圧 (Vdss):
60V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
3.6A (Ta)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
SI7415
導入
Pチャンネル 60 V 3.6A (Ta) 1.5W (Ta) 表面マウント PowerPAK® 1212-8
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: