仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
4V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-247-3
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
44 NC @ 10ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
500mOhm @ 7.2A、10V
FETタイプ:
P-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
パッケージ:
トューブ
流出電圧から源電圧 (Vdss):
200V
Vgs (最大):
±20V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1200 pF @ 25 V
マウントタイプ:
穴を抜ける
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
TO-247AC
Mfr:
ヴィシャイ シリコンニックス
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
電力損失(最高):
150W (Tc)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
IRFP9240
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SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
画像 | 部分# | 記述 | |
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SQJ409EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
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IRFP448PBF について |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
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