SIR610DP-T1-RE3
![品質 [#varpname#] 工場](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
メーカー:
シリコンニックス / ビシャイ
記述:
MOSFET 200V パワーパック SO-8タイプ Rds ((オン) 24mohm
カテゴリー:
半導体IC
仕様
トランジスター極性:
Nチャンネル
製品カテゴリー:
MOSFET
マウントスタイル:
SMD/SMT
商号:
ThunderFETについて
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
パワーパック-SO-8
最大動作温度:
+150C
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
200V
パッケージ:
リール
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
4V
ID -連続的な下水管の流れ:
35.4 A
Rdsのオン下水管源の抵抗:
23.9mOhms
チャンネル数:
1 チャンネル
Vgs -ゲート源の電圧:
20V
Qg -ゲート充満:
20 NC
製造者:
シリコンニックス / ビシャイ
導入
関連製品
SQ2315ES-T1_GE3
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
DG412DQ-T1-E3
Analog Switch ICs P M Quad SPST CMOS Analog Switch
DG412DY-T1-E3
Analog Switch ICs Quad SPST 22/25V
DG411DY-T1-E3
Analog Switch ICs Quad SPST 22/25V
| 画像 | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
SQ2315ES-T1_GE3 |
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
DG412DQ-T1-E3 |
Analog Switch ICs P M Quad SPST CMOS Analog Switch
|
|
|
|
DG412DY-T1-E3 |
Analog Switch ICs Quad SPST 22/25V
|
|
|
|
DG411DY-T1-E3 |
Analog Switch ICs Quad SPST 22/25V
|
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
