SQJ479EP-T1_GE3
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メーカー:
シリコンニックス / ビシャイ
記述:
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 合格
カテゴリー:
半導体IC
仕様
トランジスター極性:
P-Channel
テクノロジー:
Si
ID -連続的な下水管の流れ:
- 32A
マウントスタイル:
SMD/SMT
最低動作温度:
- 55 C
パッケージ/ケース:
パワーパック-SO-8L-4
最大動作温度:
+ 175 C
チャネル モード:
強化
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
- 80V
パッケージ:
リール
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
- 2.5V
製品カテゴリー:
MOSFET
Rdsのオン下水管源の抵抗:
27.5mOhms
チャンネル数:
1 チャンネル
Vgs -ゲート源の電圧:
+/- 20ボルト
Qg -ゲート充満:
150 NC
製造者:
シリコンニックス / ビシャイ
導入
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